1、關于環(huán)日散射在不同版本中的設置，對仿真結果有什么影響？
答：過去的PVsyst版本（6.8之前），環(huán)日散射在包含在散射中，而7.0以后的版本均進行單獨處理。特別是在大傾角、垂直安裝的應用場景下，單獨處理則有助于提升仿真結果的準確性。
以北歐某光伏組件垂直安裝方式為例，環(huán)日散射包含在散射中及單獨處理的兩種仿真結果如下所示，不同的設置帶來發(fā)電小時數(shù)差異約0.34%。單獨處理后，發(fā)電量更高。
2、光伏組件的LID和經(jīng)年衰減如何設置？
答：LID為光致衰減，經(jīng)年衰減與材料老化有關，兩者在軟件中是分開設置。按組件廠商的質(zhì)保，逐年線性衰減。一般情況下LID+首年材料老化衰減在承諾的質(zhì)保以內(nèi)。例如TOPCon首年功率衰減不超過1%，逐年功率衰減不超過0.4%。很多朋友經(jīng)常把LID設置成1%-0.4%=0.6%，其實這種設置方法并不正確。LID理應參考組件廠商的測試報告。
在PVsyst仿真環(huán)節(jié)，如果首年LID為0.3%，材料老化衰減0.4%，那么首年的年末功率衰減了0.7%（0.3%+0.4%），而發(fā)電量仿真計算使用的衰減系數(shù)為（0.3%LID+0.4%/2）。
因此從保守角度，如果首年衰減不超過1%，經(jīng)年衰減0.4%，那么首年的LID可設置為1%-0.4%/2=0.8%。
3、當導入不同朝向的山地陣列模型，如何大致判斷朝向偏差帶來的輻射損失差異？
答：Near Shadings > “Orientation Management”,?點擊?“Orientation Distribution Analysis”?選項，選擇“Base slope deviation, absolute errors”，如下圖所示，可看到XX.XX%的偏差損失。
答： 這是目前PVsyst軟件電池組件單二極管型號的限制。對于?HJT、BC?等新技術的STC?數(shù)據(jù)，當?Vmp/Voc?比率太高（大于約?84%?或略高）時，不能應用單二極管模型。建議調(diào)整組件的電參，增加STC的Voc?值才能應用模型。由于發(fā)電仿真結果始終在組件串的工作電壓Vmpp?值附近運行，因此修改組件的?Voc?值不會對仿真結果產(chǎn)生重大影響。
5、導入了全年的氣象數(shù)據(jù)，如何只模擬某一天、或某一個月的發(fā)電量？
答：進入到高級仿真界面，仿真日期進行自定義設置，可模擬某一天、或某幾個月的發(fā)電量。
6、無限長固定（跟蹤）仿真模式和建立三維模型，兩者仿真的主要差異是什么？
答：無限長固定式陣列（跟蹤支架）模式，是假設在2D平面上，光伏支架的長度是無限長的，因此若陣列的前排對后排產(chǎn)生陰影遮擋，組件的最下排電池都會受到陰影。而如果采用三維建模，隨著太陽方位角的變化，某些區(qū)域便不會產(chǎn)生陰影遮擋。因此采用無限長模式模擬，陣列間的陰影損失比例會較高，而使用建立三維模型仿真，輻射陰影損失比例則更準確一些。
7、是否可以模擬不同朝向的雙面發(fā)電系統(tǒng)？
答：目前8.0版本支持不同朝向傾角的雙面發(fā)電系統(tǒng)模擬。
